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本文关键字：PCM 英特尔 嵌入式
目前的无线接入方式处在离散式阶段，PCM、WLAN、WWAN分别设计，不仅成本高，而且体积庞大。张晓强介绍说，英特尔发布的多款放大器，在无线芯片上实现了更高的元件集成度，将离散式推进到集成式无线接入阶段。也就是在各种小型设备上，通过实现WLAN与WWAN的双标准单芯片集成，提升性能，并降低功耗。
在展示的数款放大器中，一款是面向802.11a/g/n应用的MIMO多波段收发器，它采用90nm CMOS工艺，可实现低功耗、小巧外形和低成本；还有一款是采用65nm CMOS工艺、用于多无线接入的E级CMOS功率放大器，可提供28.6dBm的功率输出。该功放的意义在于，实现远程通信(如WiMAX)需要功率1W左右的高功率放大器的支持，该器件就能为 WWAN提供近 1 W的无线射频输出，提供广阔的覆盖范围，同时还采用新型技术实现了高数据速率必需的精密调制功能。
此外，英特尔还展示了高频采样的PCM模/数转换器，测量整个Wi-Fi波段中的每个波段，感知来自同一波段的其他无线信号的干扰，通过自我调节达到最佳功率性能比，并提供优化的信道选择。在信号强时，它可减少耗电量，以高能效方式支持Wi-Fi/WiMAX带宽。这些成果都是为了实现未来采用单芯片处理多种无线标准的愿景，届时，各项性能指标将获得更明显的提升，同时也通过缩减体积促进便携设备小型化。
b>存储：促密度攀升
相变存储器(PCM)是一项极富潜力的新型存储技术，英特尔为此保持着高投入，即将合资成立的Numonyx公司的技术方向之一就是PCM。通过联合开发，英特尔和意法半导体展示了在PCM方面取得的重大突破——首个可展示的采用PCM技术的多层单元(MLC)设备。
PCM原理简单说就是通过改变一种硫属化合物的状态来存储数据，它以比传统闪存更低的功耗实现快速读写，并实现更稳定的数据保存。过去的单层单元PCM只有两种状态来记录数据，此次采用独特算法，研究人员在硫属化合物的非晶态与晶态间创造了另两种状态，这样就有四种状态来记录数据，从每单元1比特转变为MLC，意义在于以更低的单位字节成本提高存储密度。
基于45nm高K金属栅极制造工艺，英特尔还开发出一款高性能、低功耗的SRAM。小型SRAM单元有利于在处理器内集成更大容量的缓存，该SRAM就支持比原来大50%的片上L2(6MB)缓存，用于英特尔第二代双核和四核处理器的快速批量生产。SRAM设计与高效的功率管理电路一起，使电路能更好地适应型号变化，并有助于提高生产成品率。
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